SK Hynix анонсировала память HBM2E с рекордной пропускной способностью

На днях в Сети появилась информация, которой поделилась компания SK Hynix, о новой разработке микросхемы памяти HBM2E. Система обладает высокой пропускной способностью, что практически в 1,5 раза быстрее стандартной HBM2.

Основывается на восьми 16-гигабитных платформах, что также способствует ускорению передачи данных, которая составляет 460 ГБ/сек. Выпуск данной серии изобретатели планируют на 2020 год. Все строение устройства тесно связано с процессорами, в частности, с графическими чипами и логическими микросхемами. Изобретение является оптимальным вариантом для компьютеров, требующих вместительности и оперативности.

Карты такого типа можно будет использовать для работы систем искусственного интеллекта, а также для обучения роботов, ресурсоемкого вычисления, виртуальной реальности и топового графического ускорителя.

Стоит отметить, что в начале 2019 года фирма поделилась с аудиторией, что занимается созданием оперативной памяти нового вида. Хотя прототипов DDR6 имеется не так много, специалисты уверяют, что данный аппарат будет полностью отличаться от предшественников простотой в использовании и скоростным функционированием.