Hynix разрабатывает новые 10-нанометровые чипы DRAM DDR4

Компания Hynix сообщила, что занимается разработкой новых 10-нанометровых чипов ОЗУ. DRAM DDR4 осуществляют работу при частоте до 3200 МГц, обладая ёмкостью 8 ГБ.


Стоит отметить, что модули являются на 20% производительней аналогов, а также на 15% энергоэффективней. Это достигают благодаря применению 10-нанометровой современной технологии производства чипов памяти. Специалисты использовали в чипах технологию Sense Amp. Control. Она дополнительно уменьшает потребление энергии, снижает вероятность ошибок. В компании отметили, что новые решения ёмкостью на 8 ГБ собираются на рынок вывести в начале будущего года. Компания в будущем собирается на новый технологический процесс перевести все свои модули памяти, начиная от серверных и заканчивая мобильными. Дату выпуска конечных изделий пока не уточняют. Стоит отметить, что AMD раньше представила 7-нанометровые графические, а также центральные процессоры. При этом NVIDIA готовится заняться производством своих аналогов в 2019 году.

Компании Seagate, а также Western Digital уже в ближайшем будущем планируют удивить мир жесткими дисками, обладающими емкостью более 100 ТБ.
Автор: Чернышов Виталий
13-11-2018, 14:54


Читайте также
Добавить комментарий


Введите комментарий:



Антивоенное этническое движение «Новая Тыва» (New Tuva), Центр Т, Лада, Общество с ограниченной ответственностью «Процесс 2021», признаны в РФ иностранными агентами.
ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ
Просмотреть все новости