Ученые показали модель транзистора с эффектами отрицательной емкости

Коллективом физиков продемонстрирована разработка первого транзистора, в принцип работы которого заложили эффект, составляющий отрицательную электрическую емкость. Описание исследования ученые опубликовали в журнале Nature Nanotechnology.

В эксперименте использован состав из сверхтонкого слоя полупроводника, нанесенного на участок, соседний с затвором транзистора. Сам затвор подвергся модификации, заменой на сегнетоэлектрик вместо диэлектрика.


Особо отмечается, что теоритическое начало таким транзисторам было положено начиная с 2008 года. Сама теория принадлежит сотрудникам университета Пердью, США. Структура нового типа транзисторов потребляет значительно меньше энергии, в отличие от обычных устройств. Но на их эффективность влияют термоионные эффекты, ограничивая проявление полных свойств. Допороговым наклоном по вольт - амперным характеристикам, показатель не может быть меньше уровня 60 милливольт, для возможности увеличения тока до 10-ти раз. Это представляется существенным ограничением для многих подобных приборов.