Ученые РФ испытали новый материал для создания нейрокомпьютеров

Ученые РФ успешно провели первые испытания нового материала на основе мемристоров для создания в будущем нейрокомьютеров. Новый материал может стать основой для компьютеров будущего, который позволит обрабатывать данные жесткого диска и оперативной памяти по принципу мозговых нейронов человека.


Ученые из Института лазерных и плазменных технологий НИЯУ МИФИ совместно с коллегами из других профильных вузов создали материал, который позволяет реализовать биполярный эффект резистивного переключения. Изобретение российских физиков может стать базой для создания нейрокомпьютеров на мемристорах, которые хранят и обрабатывают информацию по аналогии с головным мозгом человека.

На основе биполярного эффекта резистивного переключения создается мемкомпьтинг, который сможет обрабатывать информацию принципиально новым способом.

Изобретение позволяет использовать два метастабильных состояния, а именно, низкорезистивное и высокорезистивное. Такой тип материала определяет некоторые особенности физического переключения системы. Это могут быть барьеры Штокки, миграция ионов металлов, или же фазовый переход из металла в диэлектрик.