IBM и Samsung создали 5-нм процессор
В корпорации IBM сообщили об инновационной разработке. Впервые в истории был создан рабочий образец чипа с транзисторами в 5 нанометров. Над проектом трудились также специалисты из Samsung и GlobalFoundries.
Благодаря новому открытию теперь можно устанавливать на чип размерами, не превышающими человеческий ноготь, целых 30 миллиардов транзисторов. Для примера, прошлый 7-нм чип от IBM имел лишь 20 миллиардов транзисторов. Новый процессор отлично подойдет для любого оборудования, начиная от мини-компьютеров и смартфонов и заканчивая космическими станциями. Причем работать будет он отлично, так как более высокая плотность при установке транзисторов на поверхности микросхемы позволяет намного увеличить скорость обработки сигналов. По статистическим данным, новый чип на 75% энергоэффективнее и на 40% производительнее 10-нм процессоров.
Известно, что кроме увеличения количества транзисторов, увеличилось и их качество. Теперь они объединяются в кремниевые нанолисты, которые способны пересылать электроны через 4 затвора, в то время как нынешние "самые продвинутые" способны работать лишь с тремя затворами. Напомним, что нынешняя технология FinFET сейчас используется в 7-нм чипах, а впервые объявилась в 22 и 14-нм. Однако как в свое время сказал Мукеш Харе, вице-президент отдела по исследованию полупроводниковых технологий в IBM, FinFET не может развиваться геометрически, а поэтому данная отрасль старается все меньше использовать эту технологию.
Благодаря новому открытию теперь можно устанавливать на чип размерами, не превышающими человеческий ноготь, целых 30 миллиардов транзисторов. Для примера, прошлый 7-нм чип от IBM имел лишь 20 миллиардов транзисторов. Новый процессор отлично подойдет для любого оборудования, начиная от мини-компьютеров и смартфонов и заканчивая космическими станциями. Причем работать будет он отлично, так как более высокая плотность при установке транзисторов на поверхности микросхемы позволяет намного увеличить скорость обработки сигналов. По статистическим данным, новый чип на 75% энергоэффективнее и на 40% производительнее 10-нм процессоров.
Известно, что кроме увеличения количества транзисторов, увеличилось и их качество. Теперь они объединяются в кремниевые нанолисты, которые способны пересылать электроны через 4 затвора, в то время как нынешние "самые продвинутые" способны работать лишь с тремя затворами. Напомним, что нынешняя технология FinFET сейчас используется в 7-нм чипах, а впервые объявилась в 22 и 14-нм. Однако как в свое время сказал Мукеш Харе, вице-президент отдела по исследованию полупроводниковых технологий в IBM, FinFET не может развиваться геометрически, а поэтому данная отрасль старается все меньше использовать эту технологию.
