В Samsung изобрели новый материал для полупроводниковых изделий

Ученые, представляющие институт Samsung Advanced Institute of Technology рассказали о новом материале – аморфном нитриде бора. По словам британских и южнокорейских исследователей, благодаря изобретению ускорится создание более мощных полупроводниковых изделий.

Сейчас в SAIT исследуют и разрабатывают двумерные материалы – кристаллические материалы с одним слоем атомов, включая графен. Что касается аморфного нитрида бора, то в его состав входят атомы азота и бора. Несмотря на то, что получить его можно посредством белого графена, аморфная молекулярная структура a-BN, по сути, является уникальной.

Исследования показали, что у материала лучшая в своем классе сверхнизкая диэлектрическая проницаемость – 1,78. Электрические и механические свойства аморфного нитрида бора позволяют свести к минимуму электрические помехи. Разработка будет применяться в полупроводниковой продукции для типов памяти DRAM и NAND, считают специалисты.