Samsung представлены модули мобильной памяти LPDDR4 на 8 ГБ

21 октября. Компанией Samsung представлена микросхема DRAM на восемь гигабайт оперативной памяти. Согласно предположениям, чип будет применяться в новом поколении современной флагманской линейки Galaxy.



Представителями южнокорейской компании отмечается, что новая микросхема памяти LPDDR4 на восемь гигабайт, включает в себя 4 шестнадцатигигабитных чипа LPDDR4. При этом она базируется на технологическом 10-нанометровом процессоре. Как стало известно, скорость работы данного чипа составляет 4266 Мбит/с. Это позволяет производить в считанные секунды самые ресурсозатратные операции. Примечательным является тот факт, что данная ОЗУ-микросхема потребляет энергии столько же, сколько её четырёхгигабайтная предшественница. Джу Сан Чой, являющийся вице-президентом подразделения Memory Sales & Marketing развивающейся компании Samsung Electronics, отмечает, что выход восьмигигабайтной микросхемы DRAM расширит возможности следующих поколений флагманских современных мобильных устройств, чьи потребности будут расти с учетом новейших функций (к примеру, поддержка 4K UHD/VR либо двойная камера).